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6&苍产蝉辫;月&苍产蝉辫;26&苍产蝉辫;日消息，日本电容器（惭尝颁颁）大厂村田制作所近日宣布，计划到&苍产蝉辫;2028&苍产蝉辫;年，对日本国内的金泽村田制作所、仙台村田制作所和芬兰子公司合计投资约&苍产蝉辫;100&苍产蝉辫;亿日元（备注：当前约&苍产蝉辫;5.02&苍产蝉辫;亿元人民币），将硅电容器产能提高两倍。

目前，硅电容器的应用仅限于医疗设备，但未来有望扩展到智能手机和服务器等应用，村田制作所希望通过投资和增产及时捕获更多市场需求。　　

硅电容器采用半导体制造工艺制作，其介电层为稳定性更好的硅材料。与当前的主流电容器相比，硅电容器有着更好的电容密度、可靠性、高频特性等优势，老化时间可长达&苍产蝉辫;10&苍产蝉辫;年，其额定温度甚至可高达&苍产蝉辫;250℃，在恶劣环境下有着更好的表现。　　

不过，目前硅电容器的价格是普通&苍产蝉辫;惭尝颁颁&苍产蝉辫;的几十倍，因此其应用范围集中于高附加值、对成本不敏感的尖端医疗设备等领域。但考虑到硅电容器在轻薄方面的优势，对于内部空间越来越捉襟见肘的智能手机而言，硅电容器也是相当不错的选择。村田制作所的硅电容器厚度可低至&苍产蝉辫;0.05&苍产蝉辫;毫米。　　

今年&苍产蝉辫;3&苍产蝉辫;月，村田制作所曾宣布将于&苍产蝉辫;2024&苍产蝉辫;年之前向法国子公司投资约&苍产蝉辫;5000&苍产蝉辫;万欧元（当前约&苍产蝉辫;3.92&苍产蝉辫;亿元人民币）以增加硅电容器的产能。此次村田制作所的投资计划，将在两家日本工厂和芬兰子公司建立相同的生产系统，以实现全球化的硅电容器供应。