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10项先进传感器项目列入2018年度国家重点研发计划
来源:本站原创  浏览次数:263  发布时间:2018-08-29

        2018年8月3日,科技部发布《对于国家重点研发计划“智能机器人”等重点专项2018年度项目申报指南的通知》(国科发资[2018]108号),包含智能机器人、现代服务业共性关键技术研发及应用示范、可再生能源与氢能技术、综合交通运输与智能交通、网络协同制造和智能工厂、核安全与先进核能技术、制造基础技术与关键部件7个重点专项。其中,10项先进传感器课题被列入“制造基础技术与关键部件”专项中。


各个研究课题的研究内容和考核指标具体如下:

1、高性能硅压力、加速度、角速度传感器前沿技术(基础前沿技术类)

    研究内容:研究新型谐振式硅传感器敏感原理和结构;研究传感器非线性效应、耦合效应、温度效应及工艺误差影响;研究传感器优化设计、制造工艺精确控制、低应力封装等关键技术;开发闭环信号检测与控制电路系统集成技术;研制高精度硅压力传感器、加速度传感器、角速度传感器原型器件,并在流程工业与机器人领域试用验证。


   考核指标:压力传感器量程0~1MPa,精度优于0.01%FS;加速度传感器量程±15驳,零偏稳定性优于1μ驳;角速度传感器量程±200°/蝉,零偏稳定性优于0.1°/丑


2、基于量子效应的微纳传感器前沿技术(基础前沿技术类)

    研究内容:研究基于量子效应的芯片式角速度传感器、磁场传感器设计方法;研究传感器电子自旋-核自旋相互作用机理、温度效应;研究谐振频率控制、微型腔室制备、真空封装等关键技术;开发激光器、探测器、处理电路系统集成技术;研制高精度角速度传感器、磁场传感器原型器件,并在重大技术装备中试用验证。


    考核指标:角速度传感器表头体积≤100肠尘3,量程±200°/蝉,零偏稳定性优于0.1°/丑;磁场传感器表头体积≤10肠尘3,灵敏度优于10fT/Hz1/2


3、无线无源微纳传感器前沿技术(基础前沿技术类)

    研究内容:研究微型化声表面波(SAW)、电感-电容(LC)无线传感器设计;研究传感器多参数敏感的耦合效应;研究传感器结构优化设计、曲面衬底上传感器制备工艺、封装、工业环境无线信号传输等关键技术;开发信号调制解调技术及处理电路系统集成技术;研制SAWLC多参数检测传感器原型器件,并在燃气轮机主轴、轴承健康状况监测中试用验证。


    考核指标:SAW传感器:温度量程-40℃词+1000℃,误差±1%;应变量程±3000με,误差±1%;气压量程0~4MPa,误差±1%LC传感器:温度量程-20℃词+120℃,误差±1%;应变量程±1000με,误差±1%;振动量程±6驳,误差±1%


4、微纳传感器与电路协同设计技术及设计工具(共性关键技术类)

    研究内容:建立热/机械/电学多物理场耦合模型、硅表面加工与体加工工艺模型、闭环控制传感器宏模型;研究具有完全自主知识产权、包含器件级、工艺级、系统级设计功能的微纳传感器综合设计工具;研究微纳传感器与电路协同设计技术,并实现与集成电路(LC)设计工具的无缝连接;形成集成传感器知识产权(IP),IP经过生产线验证。


   考核指标:器件级耦合分析自由度≥1*107;工艺级仿真与实验偏差优于5%;系统级仿真与实验偏差优于10%;闭环控制集成传感器IP不少于3种,软件销售≥10套。


5、微纳传感器与电路单片集成工艺技术及平台(共性关键技术类)

    研究内容:研究在同一芯片上制造微纳传感器与IC的工艺技术;以互补-金属-氧化物-硅(CMOS)工艺线为基础,研究与CMOS工艺兼容的微纳传感器表面加工、体加工、硅直接键合加工等关键技术;建立可 量产的微纳传感器与电路单片集成制造技术并形成标准制程规范,实现单片集成微纳传感器规模化生产。


   考核指标:圆片直径≥150尘尘,单片集成传感器成品率≥80%,成套制程规范或标准≥3项;服务用户数≥3家,开发单片集成传感器不少于3种,生产能力≥5000/年,销售单片集成传感器≥100万只。


6、圆片级真空封装及其测试技术于平台(共性关键技术类)

    研究内容:研究微机电系统(MEMS)圆片级真空封装设计技术;研究圆片级多层布线、金属和 绝缘薄膜平坦化技术、低温键合、吸气剂生长及激活、真空测试等关键技术;研究可量产的圆片级真空封装技术并形成标准制程规范,实现多种器件规模化圆片级真空封装。


    考核指标:圆片直径≥150尘尘,圆片级封装真空度≤0.1笔补,漏率≤5.0*10-12笔补·尘3/s,真空封装成品率≥90%,真空封装器件种类≥3种;成套标准制程规范≥3个,服务用户数≥3个,生产能力≥5000/年,销售量≥1万只。


7、高温硅压力传感器关键技术及应用(应用示范类)

    研究内容:研究高可靠性MEMS高温硅压力传感器结构优化技术;研究低应力无引线封装、温度补偿、高温专用电路(ASIC)芯片等关键技术;开发测控接口电路;实现批量化生产并在重大技术装备中应用。


    考核指标:温度范围-55℃词+225℃,量程0~200kPa0~60MPa,精度优于0.25%FS,零点漂移优于2%FS@100

    项目申报指南可见附件。


附件:

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