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       近日，东芝高新材料公司（ToshiBA MATerials Co., Ltd.）与京瓷株式会社达成协议，决定针对氮化物陶瓷零部件的开发和制造展开全面合作。

      近年来，铁路及汽车领域的节能需求日益凸显，在此背景下，导热性和机械性能优异且有助于节能降耗的氮化物陶瓷，作为功率半导体的散热、绝缘部件材料备受业界关注。不仅如此，氮化物陶瓷还适用于半导体制造设备中，在半导体制造流程中的高温条件下也能精准控制温度，预计今后需求量将不断增加。

       两家公司通过此次合作，将东芝高新材料拥有的氮化物陶瓷材料技术和京瓷的陶瓷特殊加工技术相结合，开发高散热性的功率半导体零部件，以及在高温下也能精准控制温度的半导体制造设备用零部件等过去无法实现的高性能零部件，以提高市场竞争力。

      两家公司从2014年开始推进功率半导体及半导体制造设备用零部件的共同开发，并且在试制品开发上取得了良好结果，据此，双方决定正式开展业务合作。今后，双方将通过设备投资及项目组人员编制，加速新产物开发及市场投放，同时，将积极寻找更多可产生协同效应的合作机会，共谋发展。