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英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件
来源:电子元件技术  浏览次数:149  发布时间:2024-11-20

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN? 650 V G5晶体管,该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓(GaN)产物组合。该新产物系列的适用范围广泛,包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源(SMPS)、可再生能源,以及家用电器中的电机驱动器。

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最新一代CoolGaN?晶体管可直接替代CoolGaN? 600 V G1晶体管,实现了现有平台的快速重新设计。新器件改进了性能指标,确保为重点应用带来具有竞争力的开关性能。与主要同类产物和英飞凌之前的产物系列相比,CoolGaN? 650 V G5晶体管输出电容中存储的能量(Eoss)降低了多达50%,漏源电荷(Qoss)和栅极电荷(Qg)均减少了多达 60%。凭借这些特性,新器件在硬开关和软开关应用中都具有出色的效率。与传统的半导体技术相比,其功率损耗大幅降低,根据具体使用情况可降低20%-60%。


这些优势使该系列器件能够在高频率下以极低的功耗工作,因此具有出色的功率密度。CoolGaN? 650 V G5晶体管使SMPS应用变得更小、更轻,或在规定外形尺寸的情况下提高输出功率范围。


该新型高压晶体管产物系列提供多种 RDS(on) 封装组合。十种 RDS(on) 级产物采用各种SMD封装,如 ThinPAK 5x6、DFN 8x8、TOLL 和 TOLT。所有产物均在奥地利菲拉赫和马来西亚居林的高性能8英寸生产线上生产。未来,CoolGaN?将过渡到 12 英寸生产线。这将使英飞凌进一步扩大其CoolGaN?产能,并确保在GaN功率市场上拥有稳健的供应链。Yole Group预测到2029年,该市场规模将达到 20 亿美元[1]。


目前可向英飞凌订购CoolGaN? 650 V G5晶体管产物系列,未来几周将开放电商订购渠道。