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      近日，高端光电子芯片提供商铌奥光电（Liobate）宣布，其薄膜铌酸锂(TFLN)超高带宽强度调制器(67/110 GHz)正式发布上市，该产物由铌奥光电自主研发并拥有完整知识产权，通过高精度耦合工艺技术封装而成，实现了最高达110GHz电光调制带宽。

??相比于传统铌酸锂晶体调制器，铌奥光电最新薄膜铌酸锂调制器产物具有低半波电压、高稳定性、小器件尺寸和热光偏置控制的特性，能广泛应用于数字光通信、微波光子、骨干通信网络及通信类科研项目等领域。

??· 射频带宽最高可达110 GHz

??· 半波电压低至3.0 V

??· 插入损耗低至4.5 dB

??· 小器件尺寸(mm)L*W*H=45*10*7

?   根据光通信调研机构LightCounting统计，2023年光模块激光器和PIC市场收入约为24亿美元，其中薄膜铌酸锂（TFLN）调制器、传统体铌酸锂（LiNbo3）调制器和其他类型的PIC份额合计占比5%。预计到2029年，DWDM光模块应用LiNbo3调制器PIC份额将持续下降至微不足道，而薄膜铌酸锂（TFLN）调制器PIC销售收入将增长到7.5亿美元。