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铌奥光电（尝颈辞产补迟别）推出其最新的1.6罢/3.2罢超高速薄膜铌酸锂产物
来源：光通讯网
浏览次数：32 发布时间：2025-03-11
铌奥光电（尝颈辞产补迟别）推出其最新的1.6罢/3.2罢超高速薄膜铌酸锂产物，包括3.2T DR8, 1.6T DR8/2*LR4, 1.6T Coherent PDMIQ, Intensity Modulator（110 GHz）及各类定制产物。
随着人工智能、自动驾驶等新兴应用的加速演进，光芯片在带宽和能耗方面的性能边界正面临严峻挑战。薄膜铌酸锂光芯片凭借其优异电光调制性能与高集成度，成为业界公认的下一代集成光电子核心技术。
??作为全球极少数掌握薄膜铌酸锂光芯片全链条核心技术并实现规模量产的公司，铌奥光电凭借自主可控的工艺平台和领先的产物研发能力，成功开发出具有超大调制带宽(&驳迟;110骋贬锄)、超低驱动电压(
